玄振玉，1975年生，山东省莱芜市人，高级工程师、博士、上海市优秀学科带头人、上海市科技启明星、首届苏州工业园区科技领军人才、姑苏创新创业领军人才。现任上海玉森新药开发有限公司总经理，苏州玉森新药开发有限公司法人代表、董事长兼总经理，上海中医药大学研究生导师，主讲研究生课程《新药研究与开发》。   2007年被评为"首届苏州工业园区科技领军人才"荣誉称号，为当年15位领军人才中年龄最小一位。   1997年开始从事中药新药开发的实践，2003提出"循证新药研究"的新药筛选方法，在此理论指导下，研究并申报了16项具有独家知识产权的创新药物，其中包括一类新药3项，在中药及天然药物有效成分、有效部位的研究领域有较强的理论和实践能力。   近几年来，参编《李时珍医学全书》等著作3部，已经全部由中国中医药出版社出版发行，共参与和主持国家自然科学基金、科技部中小企业创新基金、国家重大新药创制专项基金、江苏省自然科学基金、上海市启明星专项基金、上海市优秀学科带头人专项基金等课题11项，主持公司新药开发课题"注射用连翘酯苷冻干粉针"、"开拓普片"等16项，发表相关论文十几篇，申请国家技术发明专利80余项，其中包括PCT国际专利3项，培养硕士研究生4人。

第二届苏州工业园区科技领军人才 王鹏飞（图片）（左：王鹏飞；右：合伙人龚轶）

  王鹏飞出生于1976年，分别于1998年和2001年获复旦大学学士和硕士学位，2003年获得慕尼黑工业大学博士学位。在攻读博士期间，他首次成功地制造了互补隧穿晶体管（Complementary-TFET），开辟了新的微电子技术领域，命名了当前微电子器件中非常热门的“TFET”器件。   王鹏飞2004年起在德国英飞凌科技有限公司工作，2008年，从德国学成归来王鹏飞，和合伙创始人龚轶在苏州工业园区创办东微半导体，潜心研发快充式充电桩所用的电源模块等半导体器件。2009年6月加入复旦大学。回国后他还发明并制造出了世界第一个介于浮栅MOSFET和普通MOSFET之间的半浮栅器件“SFGT”，性能优异并且有广泛的潜在应用。   王鹏飞发明的多种核心技术已被大规模生产采用或实现技术转让，他目前拥有授权专利与专利申请100余项，发表论文70多篇。目前已为复旦大学开发出UTFET、GaN DH-HEMT、SFGT和TFET-RRAM等先进器件技术。   (略）..........